Yapay zeka sistemleri için daha sağlam bir bellek cihazı

adresinde bir araştırma ekibi kuzeybatı Üniversitesi ve İtalya’daki Messina Üniversitesi, daha hızlı, daha sağlam yapay zeka sistemlerine yol açabilecek yeni bir manyetik bellek cihazı geliştirdi. Antiferromanyetik malzemelerden oluşan bellek teknolojisi, harici manyetik alanlara karşı bağışıktır ve bir gün AI donanımı, kripto para birimi madenciliği ve uzay araştırma programları dahil olmak üzere çeşitli bilgi işlem sistemlerini geliştirebilir.
Çalışmayı özetleyen bir makale yayınlandı. Doğa İletişimi.
Northwestern Üniversitesi McCormick Mühendislik Okulu’nda elektrik ve bilgisayar mühendisi olan Pedram Khalili, ABD Ulusal Bilim Vakfı-finansmanlı çalışma. NSF’nin Mühendislik Müdürlüğü’nde program direktörü olan Usha Varshney, “Araştırma, çok daha yüksek yoğunluklarla daha güvenilir olan manyetik bellek depolamaya dayalı antiferromanyetikler vaat ediyor” dedi.
Siri gibi dijital ses tanıma platformlarından sağlık hizmetlerinde tıbbi görüntü işlemeye ve Netflix gibi etkileşimli içerik platformlarına kadar AI uygulamaları, performans için giderek daha büyük veri kümeleri kullanıyor ve günümüzün mevcut bellek donanım teknolojisini verimsiz ve sürdürülemez hale getiriyor.
Khalili, “Antiferromanyetik malzemeler, ferromanyetik MRAM’ın zorluklarını çözebilir.” Dedi. “Antiferromagnet’ler, ölçeklenebilirlik, yüksek yazma hızı ve harici manyetik alanların kurcalamasına karşı bağışıklık potansiyeli gösteriyor – bilgisayar, ağ ve veri depolama endüstrilerinin hızlı büyümesini desteklemek için daha hızlı cihazlar yapmak için gerekli tüm bileşenler.”
Yeni çalışma, araştırma ekibinin silikon uyumlu bir antiferromanyetik (AFM) bellek cihazında bilgilerin elektriksel olarak yazılmasını ilk kez gösterdiği önceki bir çalışmayı genişletiyor. Platin manganezden oluşan cihaz, önceki AFM tabanlı cihazlardan önemli ölçüde daha küçüktü ve rekor düzeyde düşük elektrik akımıyla çalışıyordu. Cihaz aynı zamanda mevcut yarı iletken üretim uygulamalarıyla uyumlu ilk AFM bellek cihazıydı.
Khalili, “Antiferromanyetik MRAM teknolojisini benimsemek isteyen şirketlerin ihtiyaç duyduğu yeni sermaye harcamasını göstermediğimiz için bu önemli bir dönüm noktasıydı.” dedi. “Ancak, iyileştirmeler yapabileceğimizi ve cihazın fiziğiyle ilgili bazı önemli eksiklikleri ve cevaplanmamış soruları çözebileceğimizi hissettik.”